制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-89-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V

集电极—基极电压 VCBO:180 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:0.2 V

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:CXT5551HC

直流电流增益 hFE 最大值:250 at 10 mA, 5 V

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:30 at 50 mA, 5 V

Pd-功率耗散:1.2 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

零件号别名:CXT5551HC PBFREE TR